Проблемные вопросы создания и развития радиоэлектронных систем военного назначения на основе технологии система на кристалле
НАУКА И ВОЕННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ № 1/2006, стр. 38-42
Проблемные вопросы создания и развития радиоэлектронных систем военного назначения на основе технологии «система на кристалле»
УДК 621.382.049.77
С.К. КОЛГАНОВ,
заместитель генерального директора ОАО «Конструкторское бюро-1»,
доктор технических наук, профессор,
заслуженный военный специалист Российской Федерации,
действительный член Российской академии космонавтики
С.М. ТЕРЕШКО,
генеральный директор ООО «Научно-технический центр «ДЭЛС»,
кандидат технических наук, старший научный сотрудник,
член-корреспондент Международной академии информатизации
Э.Г. ЛАЗАРЕВИЧ,
главный научный сотрудник
Научно-исследовательского института
Вооруженных Сил Республики Беларусь,
доктор технических наук, профессор,
действительный член Международной академии информатизации
Радиоэлектронная аппаратура (РЭА) в своем развитии прошла через ряд этапов, которые традиционно связываются с использовавшейся при ее разработке элементной базой (или, как сейчас принято называть, - электронная компонентная база (ЭКБ)). Первоначально это были вакуумные приборы. Второе поколение связывалось с переходом на преобладающее использование полупроводниковых диодов и транзисторов. К третьему поколению стали относить РЭА, построенную в основном на интегральных микросхемах (ИС)
При всей своей условности эта классификация прижилась и используется до настоящего времени. Согласно ей сейчас ЭКБ следует относить к пятому поколению, поскольку в аппаратуре используются сверхбольшие интегральные микросхемы (СБИС) и системы на кристалле (СнК), содержащие в одном кристалле 106 и более активных элементов.
Естественно, применение элементной базы со столь высокими степенями интеграции позволило качественно изменить облик РЭА и ее характеристики. Достаточно заметить, что созданная на транзисторах аппаратура, занимавшая несколько шкафов, в микроэлектронном исполнении обычно представляет собой лишь небольшую плату. Следует также указать, что переход к использованию СБИС позволил на порядок повысить надежность РЭА, доведя ее до такого уровня, когда необходимость проведения регулярных профилактических и регламентных работ стала в значительной степени анахронизмом, уступив место технологии «технического обслуживания по состоянию».
Развитие РЭА и ЭКБ все эти годы шло параллельно. Их созданием занимались предприятия различных отраслей, использовавшие разные технологии. Если они где-то и перекликались, то только на начальных этапах проектирования, когда разработчики РЭА выставляли разработчикам ЭКБ требования к необходимым уровням характеристик новых элементов.
При этом главной заботой микроэлектронщиков оставалось обеспечение максимально высокой «тиражности» (серийноспособности) новых элементов за счет максимального расширения областей их применения, т.е. за счет универсализации. Эта тенденция в значительной степени сохраняется и сейчас, несмотря на то, что универсализация СБИС приводит к крайне нерациональному использованию их возможностей в конкретных разработках РЭА, появлению избыточных функций, которые разработчик конкретной РЭА не может использовать.
В то же время «за кадром» оставался целый комплекс проблем: с одной стороны - обязательства производителя РЭА в течение минимум 20 лет обеспечивать их эксплуатацию, в том числе производство полного ЗИП (запасные инструменты и приборы). С другой - автоматически консервация на такой же срок технологий производителей ЭКБ, что для них экономически убыточно и может иметь крайне негативные последствия (минимально - потерю конкурентоспособности этих предприятий на перспективу).
Разрешение большинства из указанных конфликтов возможно в разработке, производстве и применении специализированных СБИС и СнК. И если направление развития специализированных СБИС в том или ином виде существует довольно давно, то направление развития СнК в передовых зарубежных странах начало активно развиваться с 90-х годов прошлого столетия [1]. Принципиальное отличие нового подхода заключается в том, что в кристалле помещается не универсальная структура, а некий функционально законченный элемент РЭА.
Очевидным достоинством нового подхода является то, что разработчик РЭА, получая кристалл, полностью ориентированный на его запросы, перестает платить «за воздух» (т.е. за структурную избыточность, которая заведомо не будет использована в конкретной разработке). Это, в свою очередь, позволяет максимизировать плотность радиоэлектронного монтажа и получать практически предельно возможные для данной технологии габаритно-весовые характеристики РЭА.
С другой стороны, столь же очевидным недостатком специализированных СБИС и СнК, причем недостатком органическим, т.е. неустранимым является относительно узкая сфера их применения, не позволяющая получать привычные для изготовителей интегральных схем серии СБИС в миллионы экземпляров. Действительно, «заложенный» в кристалл, скажем, приемный тракт цифровой обработки сигналов конкретной радиостанции или радиолокатора, чаще всего, не может быть использован в РЭА других типов станций. Это происходит вследствие того, что архитектура, структура и характеристики этого приемного тракта в значительной степени специфичны, поскольку определяются общими требованиями к конкретной РЭА, в частности, принятыми видами сигналов, частотным диапазоном, полосой пропускания, методами обработки сигналов и другими факторами.
Мимо внимания пока прошла и другая особенность перехода от универсальных к специализированным СБИС. Дело в том, что с появлением специализированных СБИС и СнК, ориентированных на конкретного потребителя, принципиально изменились условия возникновения так называемых результатов интеллектуальной деятельности и, соответственно, изменились правила формирования прав на интеллектуальную собственность. Следствием этого является большая зависимость разработчиков ЭКБ от разработчиков РЭА, выступающих в качестве заказчиков специализированных СБИС и СнК со всеми вытекающими из этого законными последствиями. С другой стороны, в новой ситуации изготовители ЭКБ будут ограничены в возможности в произвольное время снимать с производства отдельные типы интегральных схем (ИС), односторонне объясняя это нерентабельностью или нецелесообразностью производства из-за малой тиражности. По крайней мере, теперь они будут обязаны согласовывать все вопросы, связанные с определением объема и сроков производства, с заказчиками.
В отечественной промышленности процессы организации взаимодействия производителей РЭА и ЭКБ при проектировании, производстве и применении специализированных СБИС и СнК только начинают развиваться и, естественно, имеют свои особенности. Эти особенности присутствуют и на этапе создания специализированной СБИС и СнК, и на этапе разработки РЭА. Естественно, существует и своя специфика организации эксплуатации РЭА в образцах вооружения и военной техники (ВВТ). Рассмотрим эти особенности для РЭА ранее созданных и находящихся в эксплуатации систем вооружения, для РЭА модернизируемых систем вооружения и РЭА перспективных систем вооружения.
Отметим, что большинство особенностей присутствуют во всех перечисленных сферах применения специализированных СБИС и СнК, однако, в конкретных применениях имеют свои отличия, что будет специально оговорено.
В настоящее время в эксплуатации и серийном производстве находится большое количество систем вооружения, радиоэлектронная аппаратура которых выполнена в основном с использованием интегральных микросхем малой и средней степени интеграции. Функционально-законченные узлы этой аппаратуры конструктивно реализованы в виде печатных плат с десятками типов универсальных и специализированных микросхем и отдельных компонент.
Значительное число типов микросхем, используемое в РЭА, на настоящий момент уже не выпускается. Восстановление производства микросхем, выпуск которых прекращен, экономически нецелесообразно, поскольку требует больших капиталовложений, и неэффективно, так как поддерживает и пролонгирует устаревшие технологии производства ЭКБ.
В то же время, современный уровень полупроводниковой технологии позволяет осуществить качественно новую реализацию ранее созданных ячеек, плат и блоков РЭА в виде специализированных СБИС, в том числе СнК. Сущность такой реализации заключается в замене конструктивных элементов, содержащих сотни микросхем малой и средней степени интеграции, на специализированные (заказные) СБИС. Иными словами интеграцию или «свертку» большого количества микросхем и дискретных элементов в один кристалл. При этом могут быть полностью сохранены принципы построения, алгоритмы функционирования, временные диаграммы работы и интерфейсы ячеек, плат и блоков.
Так как многие системы вооружения еще морально не устарели, то «свертка» отдельных ячеек и плат РЭА в одну или несколько СБИС может значительно продлить их срок службы. Кроме того, использование «свертки» имеет высокую экономическую эффективность, поскольку в этом случае не требуется переработка базовых конструктивов высокого уровня, кабельных разводок и соответствующей документации. Имеется и чисто технический выигрыш, определяемый существенным повышением надежности узлов, прошедших «свертку», за счет сокращения количества контактов и соединений, на которые обычно приходится подавляющая часть отказов техники.
Требует разрешения и сложная обстановка, сложившаяся с формированием и поддержанием ЗИП для серийно выпускаемого и эксплуатируемого ВВТ, связанная с отсутствием комплектующих. Это особенно важно для экспортируемых систем вооружения.
Замена устаревшей элементной базы на современную в виде специализированных СБИС и СнК является, по существу, единственным экономически оправданным путем поддержания боеготовности серийно выпускаемых и эксплуатируемых образцов ВВТ и комплектования ЗИП.
Целесообразность применения «свертки» обусловлена следующими обстоятельствами:
1. Замена большого количества микросхем и комплектующих на одну или несколько СБИС экономически выгодна, причем экономический выигрыш увеличивается с ростом серийности СБИС.
2. Сокращение числа микросхем и комплектующих ячеек, печатных плат и блоков в сотни и более раз и, естественно, уменьшение количества связей существенно повысит надежность аппаратуры.
3. Сокращение числа микросхем до одной или нескольких СБИС совместно с применением современных технологий проектирования и изготовления СБИС позволит, как минимум, на порядок снизить потребляемую аппаратурой мощность.
4. Замена большого количества комплектующих на одну или несколько СБИС при незначительной конструкторской доработке может значительно уменьшить массогабаритные характеристики аппаратуры.
Кроме того, применение современной технологии проектирования и производства специализированных СБИС могут привести и к другим преимуществам применения «свертки», которые мы рассмотрим при определении маршрута проектирования специализированных СБИС и СнК.
Выше отмечалось, что специфика разработки и эксплуатации систем вооружения имеет ряд особенностей, которые накладывают ограничения на общепринятую инфраструктуру проектирования, производства и применения СБИС и СнК широкого применения и предъявляют к ней дополнительные требования. Рассмотрим эти особенности и ограничения.
1. Радиоэлектронная аппаратура, применяемая в системах вооружения, как правило, уникальна и пригодна только для одного типа или вида вооружения. Следовательно, серийность производства РЭА и предполагаемая серийность производства специализированных СБИС для «свертки» РЭА невелика (десятки или сотни экземпляров в год с учетом комплектования ЗИП).
2. Предварительный анализ состава ячеек и плат эксплуатируемых систем вооружения показывает, что количество микросхем и других комплектующих в их составе чаще всего включает десятки или сотни и не превышает тысячи комплектующих. Во многих случаях для их «свертки» не требуются субмикронные технологии. Вполне достаточны технологии с проектными нормами 2 - 0,8 мкм, имеющиеся на отечественных предприятиях в настоящее время.
3. Эксплуатируемые в настоящее время системы вооружения в ходе наладки, испытаний и начальной эксплуатации были подвержены доработкам, которые сопровождались внесением изменений в РЭА с добавлением комплектующих, перемычек, изменением монтажа ячеек и плат и т.д. Проводимые доработки, как правило, не прошли полного цикла испытаний и верификации и, поэтому, иногда приводят к существенному снижению стабильности работы РЭА. Кроме того, проведенные доработки, иногда, не находят отражения в конструкторской документации. Приведенное обстоятельство довольно трудно учесть при задании спецификации на проектируемую СБИС, так как указанные доработки могут быть выявлены только на определенном этапе выполнения маршрута проектирования специализированной СБИС. Следовательно, при разработке специализированных СБИС необходимо тесное взаимодействие разработчиков РЭА и ЭКБ, причем не только при задании спецификации на СБИС и формирования технического задания (ТЗ), но и на других этапах маршрута проектирования.
4. Многие поставщики интегральных микросхем и других комплектующих РЭА ВВТ находятся в различных регионах постсоветского пространства. По многим причинам они прекратили производство отдельных ИС, производство других ИС резко сократилось и будет прекращено в ближайшее время. Поэтому скорейшая разработка специализированных СБИС для замены устаревших комплектующих РЭА требует такой методологии проектирования СБИС, которая бы обеспечила сокращение сроков разработки, уменьшение риска ошибок и исключение итераций перепроектирования.
5. Специализированные СБИС РЭА систем вооружения должны удовлетворять специальным требованиям (механическим, климатическим и др.).
Перечисленные особенности позволяют выделить основные моменты организации взаимодействия разработчиков РЭА и ЭКБ при проектировании и производстве специализированных СБИС и определить основные этапы маршрута проектирования.
Проектирование специализированных СБИС должно основываться на тесном взаимодействии разработчиков РЭА и разработчиков СБИС. С одной стороны, разработчики РЭА, определяющие спецификацию и техническое задание на проектируемую СБИС, становятся непосредственными участниками проектирования СБИС. С другой стороны, проектировщики СБИС должны обладать определенными системными знаниями, причем чем глубже эти знания в данной прикладной области, тем более качественная СБИС будет произведена. Вследствие этого инфраструктура проектирования, производства и применения специализированных СБИС для эксплуатируемых и модернизируемых систем вооружения должна включать в себя самостоятельные дизайн-центры, которые обладают как системными знаниями проектирования РЭА конкретных систем вооружения, так и технологией процесса создания HDL-модели СБИС (HDL - Hardware Description Language, язык описания аппаратных ресурсов, знаниями синтеза на вентильном уровне и знаниями непосредственного производства интегральных схем. Эти фирмы должны опираться на современные системы автоматизированного проектирования (САПР) на всех уровнях.
Дизайн-центры, осуществляющие непосредственную разработку специализированных СБИС, могут не иметь в своем составе полупроводниковое производство, так как это в большинстве разработок экономически нецелесообразно. Доведя проект до HDL-модели, проведя верификацию и прототипирование на программируемых логических интегральных микросхемах (ПЛИС), дизайн-центры, ориентированные на определенное ведомство, проводят маркетинг и выбирают полупроводниковую фабрику для производства СБИС. После выбора фабрики дизайн-центры (если это приемлемо для выбранной фабрики) доводят проект до вентильного уровня в библиотеке элементов выбранной фабрики и передают проект для производства этой фабрике.
Специализированная СБИС при проектировании представляется на разных уровнях абстракции. Каждому уровню абстракции соответствует своя исполняемая спецификация или виртуальная модель разрабатываемой СБИС. При переходе от верхнего уровня к нижним, вплоть до топологии, разработчики имеют возможность постоянно сравнивать детализируемый проект с исходными требованиями и исходной исполняемой моделью, что позволяет резко сократить ошибки при проектировании.
Маршрут проектирования СБИС включает три уровня проектирования [2,3]: системный, логический, топологический. Каждый уровень может включать несколько этапов. Маршрут проектирования специализированных СБИС при осуществлении «свертки» РЭА, реализованной на ИС малой и средней степени интеграции, представлен на рис. 1.
Системный уровень проектирования в нашем случае имеет свою специфику, так как исходными данными для разработки СБИС является работающая и выполненная на микросхемах малой и средней степени интеграции схема ячейки, платы или блока. Поэтому системный уровень проектирования включает только один этап разработки спецификации на СБИС. Спецификация первого уровня должна, как минимум, содержать:
алгоритмы функционирования и структурную схему ячейки, платы, блока;
электрическую принципиальную схему;
таблицы назначения выводов;
временные диаграммы работы;
тесты контроля;
основные электрические параметры.
Такая спецификация является своего рода техническим заданием на разработку СБИС. Безусловно, желательно на первом уровне иметь отработанную и верифицированную алгоритмическую модель модернизируемой части РЭА с использованием языков С++, System C. Эта модель позволила бы разработчику СБИС более грамотно подойти к проектированию СБИС (возможно, внести некоторые корректировки в структурные схемы) и ускорила процесс создания поведенческой модели на логическом уровне проектирования.
Логический уровень включает 4 этапа.
Этап 1 - Разработка поведенческих моделей СБИС 
на языке HDL. Разработка RTL-моделей. На этом этапе производится разработка и отладка поведенческих моделей проектируемой специализированной СБИС и разработка RTL-моделей.
Для верификации разработанной поведенческой модели создается тестовое окружение, верификация осуществляется путем компьютерного моделирования.
Этап 2 - Моделирование и прототипирование проектируемой СБИС на (ПЛИС). Введение данного этапа в маршрут проектирования крайне необходимо. Он помогает оперативно вносить изменения в проект СБИС, исключить возможные ошибки и тем самым практически исключить итерации перепроектирования. Данный этап прототипирования особенно важен для ранее созданных, серийно выпускаемых и находящихся в эксплуатации систем. Он позволяет обнаружить и исключить как ошибки, возникающие при разработке СБИС, так и ошибки, связанные с доработками РЭА при испытаниях систем вооружения и их начальной эксплуатации.
На этом этапе очень важно добиться одинакового кодирования синтезируемого RTL кода - как для проектируемой СБИС, так и для ПЛИС. Прототип должен создаваться из той же RTL-модели, что разрабатывалась и для СБИС. Это позволит существенно сократить сроки проектирования и исключить ошибки, связанные с изменением исходного кода.
Прототип проектируемой СБИС на ПЛИС передается заказчику и проходит соответствующие проверки и испытания в составе стенда или реальной аппаратуры. При этом часто возникает необходимость разработки специального отладочного модуля, обеспечивающего техническую совместимость ПЛИС с реальной аппаратурой. После стендовых испытаний, заключительной верификации и выявления возможных ошибок синтезируемая RTL-модель проектируемой СБИС утверждается для последующих этапов проектирования.
RTL-модели функционально законченных блоков проектируемой СБИС представляют собой законченный, верифицированный продукт интеллектуальной собственности -IP-блок. Этот блок помещается в библиотеку проектирования и готов для повторного использования при дальнейших модификациях системы, что позволяет существенно сократить сроки последующей модернизации систем и сэкономить значительные средства.
Этап 3 - Логический синтез и оптимизация на вентильном уровне. Третий этап логического уровня проектирования производится после выбора полупроводниковой фабрики. На этом этапе осуществляется синтез логической схемы проектируемой СБИС в базисе библиотек производителя микросхем. Схема на вентильном уровне оптимизируется с точки зрения энергопотребления и других параметров.
Этап 4 - Вентильная верификация. Вентильная верификация производится после завершения логического синтеза и чаще всего сводится к статическому временному анализу списка цепей, полученному в результате логического синтеза. Этот этап позволяет проанализировать поведение схемы в различных ситуациях, обнаружить скрытые ошибки.
Этапы 3 и 4 могут производиться или непосредственно разработчиками СБИС при участии специалистов фабрики производителя ИС, или специалистами фабрики производителя ИС при участии проектировщиков СБИС.
Топологический уровень проектирования относится, как правило, к задачам полупроводниковой фабрики и не имеет существенного значения для рассматриваемого подхода.
Таким образом, основными отличительными особенностями рассматриваемого в настоящей статье подхода к проектированию специализированных СБИС для модернизации серийно выпускаемых образцов ВВТ (по сравнению с традиционным маршрутом проектирования СБИС широкого применения) являются следующие:
1. Системный уровень проектирования, как правило, включает в себя только этап разработки спецификации на разрабатываемую специализированную СБИС. Это связано с тем, что исходными данными на проектируемую СБИС являются ранее спроектированные схемы ячеек, плат и блоков. По этой же причине на первом уровне проектирования отсутствует этап создания модели макроархитектуры (модели уровня транзакций) будущей СБИС.
2. Маршрут проектирования предполагает обязательное прототипирование проектируемой СБИС на ПЛИС с последующей отладкой макета СБИС в реальной аппаратуре заказчика, что позволяет отработать технические решения, исключить ошибки и перепроектирование.
3. Процесс проектирования, особенно на системном уровне, подразумевает совместные действия заказчика и исполнителя, причем информационные обратные связи от заказчика к исполнителю носят скорее характер взаимодействия, чем традиционной приемки-сдачи продукции или ее отдельных элементов и этапов. Таким образом, разработчики РЭА становятся непосредственными участниками разработки СБИС, а разработчики СБИС непосредственными участниками разработки РЭА.
4. В результате накопления информации, получаемой в ходе модернизации (осуществления «сверток») формируется библиотека фрагментов схем. Это позволяет на последующих этапах осуществления «свертки» использовать эти результаты как некоторые стандартные элементы, а в некоторых случаях - и предлагать на рынок IP-блоков как самостоятельный продукт, например для использования другими разработчиками.
При этом поэтапная модернизация может состоять из произвольного числа последовательных «сверток» аппаратуры, причем уже «свернутая» аппаратура может быть использована в качестве элементов для дальнейших сверток. Число таких итераций неограниченно и существенно зависит только от потребностей пользователя аппаратуры и его экономических возможностей.
Другими словами, рассматриваемый подход к проектированию специализированных СБИС дает возможность осуществлять многократную модернизацию РЭА под авторским надзором заказчика и разработчика РЭА. Назовем такой процесс «латентной модернизацией» (скрытой модернизацией) .
«Латентная модернизация» позволяет решить ряд проблем, связанных с поддержанием высокой боевой готовности систем вооружения, продлением их срока службы, формированием и поддержанием ЗИП серийно выпускаемого и эксплуатируемого ВВТ. Кроме того, такая модернизация позволяет во многих случаях значительно повысить тактико-технические характеристики ВВТ и не требует при этом больших экономических затрат.
В общем случае единовременные затраты на начальном этапе такой модернизации могут включать в себя затраты на «свертку» только той части РЭА, которая содержит в своем составе проблемную ЭКБ. При этом экономические затраты могут окупиться в весьма сжатые сроки, а во многих случаях и принести ощутимую прибыль, которая существенно зависит как от объема «сворачиваемой» аппаратуры, так и от количества единиц модернизируемой техники.
Одним из первых предприятий, получивших существенные практические результаты в рассматриваемом направлении, является «Научно-технический центр «ДЭЛС» (г. Минск). В конце 90-х годов им были разработаны ряд специализированных СБИС [4], представляющих собой результаты «свертки» блоков и устройств РЭА военного назначения.
Как правило, такие разработки сопровождались не только улучшением тактико-технических характеристик образцов ВВТ, но и достижением весомого экономического эффекта. Так, например, в ходе одной из работ были заменены 540 идентичных одноплатных модулей арифметическо-логического устройства (АЛУ). Цена одного модуля с учетом стоимости комплектующих (62 микросхемы серии 1533) составляла ориентировочно $270. Работы по проектированию и изготовлению первой партии СБИС (600 кристаллов) были выполнены в сжатые сроки (3,5 месяца) при затратах, эквивалентных $108000. Таким образом, экономический эффект за счет использования СБИС при модернизации первого образца РЭА составил:
(540X270) -108000 = $37800
При изготовлении последующих партий СБИС экономический эффект возрастает, так как затраты на разработку СБИС окупились при модернизации еще первого образца РЭА (экономический эффект для 2-го образца РЭА составил $50000).
Кроме того, применение СБИС позволило снизить мас-согабаритные характеристики аппаратуры в 5 раз, уменьшить энергопотребление в 20 раз и значительно повысить надежность.
Таким образом, в результате реализации такой модернизации не только улучшаются технические характеристики РЭА, но и сама аппаратура становится значительно дешевле. На первый взгляд возникает законное недоверие. Этого не может быть. Выиграли в качестве продукции, должны проиграть в стоимости. Но это только на первый взгляд.
Возьмем для примера мобильную связь и конкретно мобильный телефон, который реализован на элементной базе 5-го поколения. Если реализовать мобильный телефон на интегральных схемах малой и средней степени интеграции, то для его размещения потребуется шкаф, стойка или, в лучшем случае, блок, т.е. его необходимо возить на прицепе или на тележке. В несколько раз возрастет и стоимость телефонного аппарата. Поэтому появление цифровой связи и мобильного телефона стало возможным только с появлением современной элементной базы 5-го поколения.
Осуществление «латентной модернизации» обеспечивает улучшение технико-экономических показателей РЭА, однако вновь спроектированные специализированные СБИС, остаются «в окружении» старой элементной базы и старых конструктивов (блоков, стоек, шкафов), причем площадь этих конструктивов практически не задействована (представьте себе мобильный телефон, смонтированный в стойку или блок). Как следствие, возникает логичный вопрос о дальнейшей модернизации РЭА и, в первую очередь, изменение конструктива (замена шкафа на блок, блока на плату и т.д.)
Таким образом, проведение «латентной модернизации» естественным образом стимулирует проведение более глубокой модернизации с применением интеграции более высокого уровня. Иными словами, в ходе довольно простой с научной точки зрения «латентной модернизации», неизбежно возникают и прорабатываются новые конструкторские и технологические идеи, ведущие в конечном итоге к созданию совершенно новой, более эффективной РЭА ВВТ.
ЛИТЕРАТУРА
1. В. Немудров, Г. Мартин. Системы-на-кристалле. Проектирование и развитие. М.: Техносфера, 2004. -216 с.
2. Дж.Ф. Уэйкерли, Проектирование цифровых устройств. Том 1. М.: Постмаркет, 2002. - 544 с.
3. АвгульЛ.Б., Курносенко С.В., Терешко С.М. Современная методология проектирования специализированных СБИС для цифровой обработки радиолокационных сигналов//Тез. докл. 1-й Всероссийской научно-технической конференции по проблемам создания перспективной авионики. - М.: ОАО «Корпорация «Фазотрон-НИИР», 2002. - С. 152 - 153.
4. АвгульЛ.Б., Курносенко С.В., Петроченко А.С., Терешко С.М. Комплект СБИС для цифровой обработки сигналов //Электроника. - 2002. - № 4. - С. 26 - 27.
